核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
?天津市萬德思諾國際貿易有限公司成立于2019年5月17日,公司秉承“引進尖端技術、服務本土客戶”的理念,主要代理銷售日本及歐美等國第三代半導體領域(碳化硅、氮化鎵等)的先進材料和尖端設備,致力于服務國內各大高校、研究單位和半導體行業(yè)客戶。公司創(chuàng)始人核心團隊成員均具有15年以上相關從業(yè)經歷,特別是在寬禁帶半導體行業(yè)具有豐富的經驗和資源。
自公司成立以來團隊開始積極布局和銷售第四代半導體領域(氧化鎵)的相關材料和設備,不斷整合行業(yè)技術資源并融合本公司的專業(yè)技術和售后團隊,竭誠為每一位客戶提供優(yōu)質的全產業(yè)化方案以及專業(yè)的技術支持和優(yōu)質的售后服務。
萬德思諾致力于成為寬禁帶半導體行業(yè)設備及材料專業(yè)供應商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
資源整合
深耕化合物集寬禁帶半導體行業(yè),提供全產業(yè)鏈的材料和設備解決方案。
一站式服務
提供詳細的售前技術咨詢服務,可安排免費的樣品測試。多樣化的交易方式,滿足不同客戶采購要求。提供設備的安裝、保養(yǎng)、維修、升級等一站式服務。
專業(yè)團隊
公司研發(fā)人員長期從業(yè)于半導體行業(yè),有豐富的設備使用、安裝、調試經驗,從專業(yè)角度為您提供專業(yè)服務。
成本優(yōu)勢
從技術方案到生產線運營管理,公司有完整的科學的成本管控方案,從多角度為客戶打造最優(yōu)方案。
日本株式會社 Novel Crystal Technology(NCT)公司正式宣布向全球合作客戶推出其創(chuàng)新的Planar SBD(肖特基勢壘二極管)器件。
本文利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)方法,在 Si/SiO2 模板上成功生長了氧化鎵(Ga2O3)薄膜,并深入探討了生長溫度對薄膜結構及光學性能的影響。